Что такое dram
ЗУ — один из источников машинного «интелекта» — вынуждено постоянно следовать в «кильватерной струе» быстродействия микропроцессора. Баланс производительности между этими центральными элементами системы в последнее время несколько выровнялся и не вызывает уже недоуменного вопроса: а точно ли мы подсчитали такты ожидания?
История динамической памяти с произвольным доступом (DRAM, Dynamic Random Access Memory) — один из примеров отличной проработки удачной идеи, однажды осенившей исследователей.
Как DRAM задерживает работу ПК
Ячейка – базовый элемент памяти
Парадоксально, но динамическая память способна запоминать нолики и единички благодаря паразитной емкости, с которой электронщики ведут долголетнюю борьбу. Это — квинтэссенция конструкции, смонтированной на базе структуры комплиментарной технологии металл-оксид-полупроводник (CMOS, Complimentary Metal Oxide Semiconductor ).
По CMOS технологии, благодаря ее несомненным техническим достоинствам, строятся современные чипы быстродействующих электронных элементов с высокой плотностью упаковки.
Микросхема DRAM содержит множество элементарных ячеек, одна из которых изображена на рис. 1.
Транзистор в динамической ячейке работает как ключ, управляющий передачей заряда. При записи в конденсатор бита информации ключ открывается, заряжая конденсатор до определенной величины.
Считывание информации — процесс длительный, включающий подготовительные операции. Вначале специальная схема предзаряда сообщает потенциал (опорное напряжение) обеим разрядным шинам. Схема также модифицирует ячейку, восстанавливая информационную емкость после чтения (откуда и название режима работы — чтение с модификацией)).
Далее для доступа к микросхеме памяти из контроллера ОЗУ поступают сигналы управления, которые переводят числовую шину в активное состояние. При этом на числовой шине ячейки также повышается потенциал, транзистор открывается и замыкает цепь: корпус — числовая шина 1.
Если емкость заряжена, она разряжается на числовую шину, повышая ее потенциал. Между числовыми шинами 1 и 2 возникает напряжение. Циркулирующий при этом ток создает на выходной шине заряд (единица). Если емкость не была заряжена, то на выходе формируется ток противоположного направления и с шины данных снимается ноль.
Процесс записи обратен считыванию.
Время задержки вывода данных DRAM измеряется величинами от десятков до сотен наносекунд.
Когда процессор «гуляет»
Систему притормаживают не только задержки в «недрах» памяти. Любое обращение к ОЗУ сопровождается передачей в контроллер памяти большой группы сигналов, осложняющих схемотехнику. Громоздкость сигнального аппарата повышает латентность подготовительного периода цикла обмена данными. О чем идет речь?
В DRAM каждую ячейку можно отыскать по ее адресным координатам, оформленным в строки и столбцы (рис. 2 ).
Все ячейки выводятся на общую числовую шину. Выбор соответствующего адреса строки и столбца позволяет определить место ячейки. Содержимое нескольких ячеек, объединенных на выходе, образует информационную группу — байт, или слово, и следует на шину данных памяти. Разрядность внешней шины данных памяти позволяет повысить ее пропускную способность. Вместе с тем рост быстродействия памяти не возымеет никакого эффекта, если она не способна работать с малыми временными задержками.
Адрес памяти содержит сведения для выбора: байта, банка, строки и столбца. Он поступает в один из портов контроллера ОЗУ, трансформируется в два адреса — строки и столбца, которые по шине MA попадают в DRAM (рис. 3) с некоторым промежутком времени (ΔT1 на рис. 4).
Контроллер памяти оснащен портом для обмена данными с процессором и еще одним портом — для обмена с устройствами ввода вывода на системной шине. В современных чипсетах первый порт называется «северным», а другой «южным». С таким же успехом порт AGP может быть назван «западным»… Поскольку «соискателей» для обмена много, на входе подсистемы имеется арбитр. Этот «строгий привратник» подключает к памяти устройства в соответствии с приоритетами. На этот процесс также уходит время.
Шина между процессором и контроллером ОЗУ — FSB (Front Side Bus) — тактируется системными синхроимпульсами. При отсутствии данных в кэш, доступ к ОЗУ можно представить следующим образом.
За время первого и второго тактов синхронизации с шины FSB в контроллер ОЗУ направляются управляющие и адресные сигналы (# у сигнала свидетельствует о том, что его активный уровень — низкий). Сигналы анализируются и управляют логикой ОЗУ.
Два-три (в зависимости от качества DRAM) синхроимпульса расходуется на запуск схемы дешифрации и выбор соответствующей строки.
Каждый из элементов адресной группы стробируется импульсами сигналов управления RAS# (Row AddressStrobe)и CAS# (Column Address Strobe) (рис. 4).
При доступе к шинам строк активизируется числовая шина, и все ячейки в данной строке считываются. На разрядные шины поступают соответствующие потенциалы от конденсаторов. На активизацию шин столбцов, подключение разрядных шин к буферу данных и извлечение из ячейки памяти данных также требуется два-три такта синхронизации. Еще один такт уходит на доставку данных в буфер данных DRAM. По такту затрачивается на доставку данных в контроллер ОЗУ и далее — в процессор.
Таким образом, за один цикл обращения к памяти система генерирует, в общей сложности 9–11 тактов синхронизации. При считывании данных следует учесть еще два такта, расходуемых на восстановление заряда ячеек.
ОЗУ подвержено «склерозу»
После отключения питания ОЗУ, оно напрочь забывает о том, какой оперативной работой занималось до того, как вы нажали на кнопку Power. Более того, если бы не специально предпринимаемые меры, ОЗУ «умудрилось» бы позабыть, что хранило в своих ячейках с десяток миллисекунд назад. Это связано с естественным процессом утечки тока с емкости.
В отличие от Statics RAM, динамическая память энергозависима и требует периодического восполнения энергии в паразитных емкостях, что реализуется стандартной процедурой регенерации. Эта аппаратная процедура инициируется интервальным таймером каждые 15,6 мкс (рис. 5) и выполняется через канал ПДП. Для регенерации используются только стробы RAS#, а стробы CAS# в процессе не участвуют.
На протяжении этого времени, называемого шагом регенерации, в DRAM перезаписывается целая строка ячеек. Так, на протяжении 8–64 мс обновляются все строки памяти.
Для перезаписи ячеек ОЗУ достаточно перебирать строку за строкой и выполнять «фиктивную» (без вывода данных на магистраль данных памяти) команду чтения. В этом случае каждая ячейка строки перезапишется через схему предзаряда, а данные не попадут в буферы выхода данных. Шина данных — в высокоимпедансном состоянии. На модификацию ячейки при считывании расходуется два такта синхронизации.
Очевидно, что процедура регенерации памяти (в классическом варианте) «тормозит» работу системы, поскольку в это время обмен данными с ОЗУ невозможен. Регенерация, основанная на обычном переборе строк (независимо в какой последовательности) в современных типах DRAM не применяется. Существует несколько экономичных вариантов этой процедуры — расширенный, пакетный, распределенный и пр.
Регенерация с циклом CBR (CAS Before RAS) более практична. Начало процесса инициируется контроллером ОЗУ и индицируется синхростробами. Срез строба RAS# помещается в промежуток времени низкого уровня CAS#. Внутренний счетчик перебирает адреса строк для регенерации. Для выполнения регенерации типа CBR также используется прием «фиктивного» чтения.
Наиболее экономична скрытая регенерация. Каждый рабочий цикл чтения или записи сопровождается удержанием строба CAS# в низкоуровневом состоянии. На протяжении этого периода времени, уровень строба RAS# нарастает и падает — и микро схема, в соответствии с показанием внутреннего счетчика, выполняет цикл регенерации. Регенерация протекает не при фиктивном, а при реальном считывании данных из буфера, что не вызывает потерь времени.
Из новых технологий регенерации выделим PASR (Partial Array Self Refresh), применяемую Samsung Electronics в чипах памяти SDRAM с низким уровнем энергопотребления. Регенерация ячеек выполняется только в период ожидания в тех банках памяти, в которых имеются данные. Параллельно с этой технологией реализуется и метод TCSR (Temperature Compensated Self Refresh), предназначенный для регулировки скорости регенерации в зависимости от рабочей температуры.
Как DRAM избавлялась от «вредных привычек»
Архитектурные и технологические решения позволяют минимизировать в DRAM временные задержки (латентность).
Страничная память в интерлив
Не ищите в ОЗУ страницу. Это — логическая категория, существующая для удобства обращения. Память разбивается на четное количество банков, состоящих из страниц малого объема.
При каждом обращении контроллерпамяти генерирует адресные элементы для доступа к строкам и к столбцам. Между этими операциями существует временной «зазор» (ΔТ1), который, накапливаясь, приводит к высокой латентности. Доступ к памяти в режиме быстрого страничного обмена (FPM, Fast Page Mode) позволяет минимизировать эти потери.
Временной выигрыш при доступе к ОЗУ в режиме FPM состоит в том, что задержки (ΔТ1) возникают лишь при первом доступе к ячейкам страницы. Потери времени на первое обращение к ОЗУ, вне зависимости оттипа DRAM, — «ахиллесова пята» динамической памяти.
Все последующие обращения к столбцам страницы выполняются на уже выбранном адресе строки (открытой строке). Таким образом, адрес строки активен на протяжении всех циклов доступа к строке памяти, а адреса столбцов стробируются импульсами CAS# каждый раз, когда в этом есть необходимость (рис. 6).
Интерлив, или чередование банков, — режим работы, используется всеми модулями динамической памяти. Как известно, каждое последующее обращение к DRAM возможно лишь по завершению переходных процессов в ячейках.
В памяти с интерливом каждая последующая строка выбирается в новом банке, что позволяет ячейкам строки из предыдущего банка восстановить свои кондиции. Увеличение количества последовательно выбираемых банков памяти способствует снижению временных потерь, связанных с перезарядкой емкостей.
Память DRAM FPM и ее модификации — EDO (Extended Data Out) и BEDO (Burst EDO) применялись для группового обмена с ОЗУ. В EDO совмещены по времени операция передачи в ОЗУ адреса и выборка текущих данных. Благодаря этому и удается выиграть пару тактов.
В таблице 1 рассмотрены характеристики некоторых типов памятиDRAM.
Сильные стороны синхронизма
Наиболее радикальные изменения коснулись DRAM с внедрением технологии синхронной динамической памяти (SDRAM, Synchronous DRAM). Для того чтобы синхронизировать память извне, в чип была вмонтирована логика управления. Таким образом, узлы памяти перебрали ряд функций контроллера ОЗУ. В память поступают команды, которые обрабатываются непосредственно в чипе (рис. 7). Синхронизм позволяет микросхеме SDRAM выполнять операции независимо от задержек внешних сигналов управления. Внедрение в чип механизма управления и упрощение схемотехники сократили накладные расходы времени доступа к ОЗУ.
Следовательно, чип SDRAM представляет некое подобие микроконтроллера со встроенными элементами динамической памяти. Микросхема содержит скоростную синхронную шину данных. Для доступа к данным используется трехступенная конвейерная архитектура с интерливом. SDRAM содержит защелки и счетчик адреса столбцов (рис. 8). На открытой строке счетчик последовательно перебирает адреса столбцов, и за каждый такт из защелок данных шлюза ввода вывода в выходной буфер перемещается по восемь байтов данных.
Таким образом, за четыре обращения к памяти считывается полная строка (32 байта). Первое обращение к восьми байтам (при промахе кэш) занимает 9–11 тактов. На каждое последующее расходуется по такту.
Команды загружаются в память SDRAM через программируемый регистр режима. Регистр позволяет запрограммировать память для выбора режима регенерации, автоматической выборки расположенных смежно ячеек памяти в пределах банка, а также применение интерлива. Может быть запрограммирована длина пакета и изменено время задержки стробов CAS#. Настройка этой задержки сказывается на производительности системы.
Конвейерная обработка пакетов данных позволяет исключить из списка временных потерь весьма существенные позиции. Внутреннее выполнение команд снимает с системных шин часть нагрузки и ускоряет процесс доступа к данным.
Выполнение команд обеспечивает оперативную регенерацию в наиболее благоприятные для памяти моменты времени. В SRAM применяется авторегенерация и саморегенерация.
Авторегенерация осуществляется на том банке памяти, к которому на текущий момент обращений нет.
Саморегенерация производится постоянно в любой области памяти за исключениям тех блоков, к которым обращается система с текущим запросом.
Архитектура синхронной памяти имеет модификации.
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) — тип памяти, который «роднит» с SDR SDRAM (Single Data Rate SDRAM) общий тракт обработки адресов и сигналов управления, одинако вая конструкция банков памяти и общие методы регенерации (см. рис. 8).
Основные отличия этих технологий (см. табл. 2) — в организации интерфейса данных и системе синхронизации. DDR работает на удвоенной частоте.
SL DRAM (Synchronous Link DRAM) — это также синхронная память. Как и DDR, она синхронизирует данные фронтом и срезом тактового импульса. Управляющая информация, как и данные, передается в память пакета ми, что уменьшает латентность. Память SL содержит расширенный файл программируемых регистров и справляется с большим числом команд.
Что может быть лучше «простой» SDRAM
Новые технологии синхронной памяти, многобитные модули ОЗУ, а также оптимизированные циклы группового обмена данными и пакетная передача сигналов управления действительно позволили повысить производительность системы. Хотя на доступ к ОЗУ расходуется и меньше тактов синхронизации, процент тактов ожидания процессора по-прежнему велик (рис. 9).
Преодолеть ограничения, присущие архитектуре традиционной DRAM, стало возможно благодаря технологии DR DRAM (Direct Rambus DRAM). Идейными вдохновителями движения Rambus стали корпорации Intel Corporation и Rambus Inc., заключившие в 1996 г. договор о сотрудничестве. Усилия альянса по созданию быстродействующего ОЗУ поддерживаются ведущими фирмами отрасли, такими как Micron, Samsung, Toshiba и др. (рис. 10).
DR — разновидность быстрой динамической памяти с произвольным доступом. Основа архитектуры Rambus — банки памяти, «пронизанные» скоростным каналом. Канал представляет собой электрическую шину, подключающую элементы памяти к контроллеру и разъемам (рис. 11). Канал входит в модуль на одном его конце, проходит через все чипы и выходит на другом конце модуля.
Шина данных синхронизируется отвнешнего источника 400 МГц, как и DDR SDRAM, фронтом и срезом, благодаря чему тактовая частота синхронизации памяти — 800 МГц.
Структурные отличия модулей SDRAM и DR DRAM иллюстрирует рисунок 12.
Значительные усовершенствования в DR DRAM коснулись структуры и организации банков памяти. Если модуль DIMM SDRAM содержит всего лишь 4 банка, то 128 Мбит чип DR DRAM располагает 32 банками. Современные RIMM (Rambus In line Memory Module) могут содержать до 128 банков памяти.
Благодаря конвейеру, поток данных малыми порциями распределяется между банками таким образом, что потери времени при обращении к памяти минимальны. Распределение данных зависит от скорости заполнения каждого банка. Большое число банков позволяет эффективно использовать синхронную внутреннюю высокоскоростную магистраль данных.
Два канала данных (каждый шириной по байту) позволяют получить пиковую пропускную способность выходной шины данных до 3, 2 Гб/с. В дальнейшем для работы DR DRAM с процессором Pentium 4 планируется использовать ускоренную системную шину (533 МГц), разрабатываемую Intel. В планах альянса: к 2002 г. адаптировать DR DRAM для работы в соответствии со спецификацией PC1066, а к 2005 г. — PC1200. Таким образом, в 2005 г. планируется на базе 0,12 мкм технологии выпустить 32/64 разрядные модули ОЗУ с пропускной способностью памяти DR DRAM 9, 6 Гб/с.
На что способноОЗУ вашего ПК?
Быстродействие ОЗУ зависит не только от архитектурных и конструктивных особенностей модулей памяти, но также и от режимов обмена, показателей центрального процессора, чипсета и прочих системных устройств, влияющих на синхронизм обмена и латентность.
-
кэш попадание;
-
кэш промах с выборкой из текущей строки;
-
кэш промах с выборкой из другой строки.
В третьем, наиболее жестком, режиме требуется восстановление заряда ячеек предыдущей строки и выбор новой, текущей. На этот процесс (precharge time) расходуется два дополнительных такта.
В таблице 3 рассмотрены некоторые задержки, характерные для отмеченных режимов и определено быстродействие памяти на шине PC133.
Быстродействие ОЗУ повышается, если чипсет работает с ОЗУ и процессором синхронно и согласованно (см. табл. 4). Синхронизм между шинами памяти и процессора обеспечивает оптимальный, скоростной режим работы системы. Если частоты на шинах отличаются, данные, пересылаемые через чипсет, буферизируются. Для согласования скоростей на шинах требуются дополнительные такты ожидания.
Таким образом, недостаточно оценивать быстродействие ОЗУ, руководствуясь только конструктивными и технологическими достоинствами микросхем и модулей памяти. Немалое влияние на показатели производительности оказывают характеристики системных устройств — центрального процессора и компонентов подсистемы памяти. Скорей всего, оптимальным решением может стать интеграция в одном модуле компонентов, изображенных на рис. 3.
Разница между Синхронной и Асинхронной DRAM
Основное различие между Синхронной и Асинхронной DRAM состоит в том, что Синхронная DRAM использует системные часы для координации доступа к памяти, в то время как Асинхронная DRAM не использует системные часы для координации доступа к памяти.
В памяти компьютера хранятся данные и инструкции. Существует два типа памяти, называемые RAM и ROM. RAM это «Память с произвольным доступом», а ROM — это память «Только для чтения». RAM далее делится на статическую RAM и динамическую RAM. В этой статье рассматриваются два типа динамической RAM, а именно, синхронная и асинхронная DRAM.
Содержание
- Обзор и основные отличия
- Что такое Синхронная DRAM
- Что такое Асинхронная DRAM
- В чем разница между Синхронной и Асинхронной DRAM
- Заключение
Что такое Синхронная DRAM?
RAM (ОЗУ) — это энергозависимая память. Другими словами, данные и инструкции, записанные в RAM, не являются постоянными. Поэтому данные будут стираться при выключении компьютера. В RAM выполняются операции чтения и записи. Эта память является быстрой и по-этому она стоит дороже. Существует два типа оперативной памяти RAM. Это Статическая RAM (SRAM) и Динамическая RAM (DRAM). SRAM требуется постоянное питание энергией для сохранения данных, в то время как DRAM требуется постоянного обновления для сохранения данных. Синхронная DRAM и Асинхронная DRAM — это два типа DRAM.
SDRAM
В синхронном DRAM системные часы координируют или синхронизируют доступ к памяти. Следовательно, ЦПУ знает время или точное количество циклов, в течение которых данные будут доступны из ОЗУ на шину ввода-вывода. Это увеличивает скорость чтения и записи памяти. В целом, синхронная DRAM быстрее по скорости и работает эффективнее, чем обычная DRAM.
Что такое Асинхронная DRAM?
Первые персональные компьютеры использовали асинхронную DRAM. Это старая версия DRAM. В асинхронной DRAM системные часы не координируют(не синхронизируют) доступ к памяти. При обращении к памяти значение появляется на входной, выходной шине через определенный промежуток времени. Следовательно, он имеет некоторую задержку, которая минимизирует скорость.
Асинхронное RAM работает в низкоскоростных системах памяти, и не подходит для современных высокоскоростных систем. В настоящее время производится асинхронная RAM очень малых количествах и так как в компьютерах обычно используется синхронная DRAM.
В чем разница между Синхронной и асинхронной DRAM?
Синхронная DRAM использует системные часы для координации доступа к памяти, в то время как Асинхронная DRAM не использует системные часы для синхронизации или координации доступа к памяти. Синхронная DRAM быстрее и эффективнее, чем асинхронная DRAM.
Кроме того, синхронная DRAM обеспечивает высокую производительность и у неё более лучшее управление, чем у асинхронной DRAM. Современные высокоскоростные ПК используют синхронную DRAM, тогда как старые низкоскоростные ПК раньше использовали асинхронную DRAM.
Заключение — Синхронная против Асинхронной DRAM
Разница между Синхронной и Асинхронной DRAM заключается в том, что Синхронная DRAM использует системные часы для координации доступа к памяти, в то время как Асинхронная DRAM не использует системные часы для координации доступа к памяти. Если в кратце, Синхронная DRAM обеспечивает лучшее управление и высокую производительность, чем Асинхронная DRAM.
Что такое dram
Михаил Тычков aka Hard
Доброго времени суток.
Написать эту статью меня побудил частенько задаваемый мне вопрос: «Влияет ли на скорость работы системы увеличение объема оперативной памяти?». Не спешите с ответом! Давайте-ка разберемся, что из себя представляет оперативная память DRAM – Dynamic Random Access Memory (вообще следует отметить, что DRAM — это очень старый тип микросхем оперативной памяти, который сейчас уже давно не применяется, так что в данной статье понятие DRAM — просто оперативная память различного типа). По-русски это будет звучать так: динамическая память с произвольным порядком выборки. Что она из себя представляет?
Начнем из далека. Минимальной единицей информации при хранении или передаче данных в компьютере является бит. Каждый бит может быть в двух состояниях: включен (да, 1) или выключен (нет, 0). Любой объем информации в конечном итоге состоит из включенных и выключенных битов. Таким образом, что бы сохранить или передать какой либо объем данных, необходимо сохранить или передать каждый бит, не зависимо от его состояния, этих данных.
Для хранения битов информации в оперативной памяти есть ячейки. Ячейки состоят из конденсаторов и транзисторов. Вот примерная и упрощенная схема ячейки DRAM:
Каждая ячейка способна хранить только один бит. Если конденсатор ячейки заряжен, то это означает, что бит включен, если разряжен – выключен. Если необходимо запомнить один байт данных, то понадобится 8 ячеек (1 байт = 8 битам). Ячейки расположены в матрицах и каждая из них имеет свой адрес, состоящий из номера строки и номера столбца.
Теперь рассмотрим, как происходит чтение. Сначала на все входы подается сигнал RAS (Row Address Strobe) – это адрес строки. После этого, все данные из этой строки записываются в буфер. Затем на регистр подается сигнал CAS (Column Address Strobe) – это сигнал столбца и происходит выбор бита с соответствующим адресом. Этот бит и подается на выход. Но во время считывания данные в ячейках считанной строки разрушаются и их необходимо перезаписать взяв из буфера.
Теперь запись. Подается сигнал WR (Write) и информация поступает на шину столбца не из регистра, а с информационного входа памяти через коммутатор, определенный адресом столбца. Таким образом, прохождение данных при записи определяется комбинацией сигналов адреса столбца и строки и разрешения записи данных в память. При записи данные из регистра строки на выход не поступают.
Следует учесть то, что матрицы с ячейками расположены вот таким вот образом:
Это означает, что за один раз будет считан не один бит, а несколько. Если параллельно расположено 8 матриц, то сразу считан будет один байт. Это называется разрядностью. Количество линий, по которым будут передаваться данные от (или на) параллельных матриц, определяется разрядностью шины ввода/вывода микросхемы.
Говоря о работе DRAM необходимо учитывать один момент. Фишка заключается в том, что конденсаторы не могут бесконечно долго хранить заряд и он в конце концов «стекает» :(. Поэтому конденсаторы необходимо перезаряжать. Операция перезарядки называется Refresh или регенерацией. Происходит эта операция примерно каждые 2 мс и порой занимает до 10 % (а то и больше) рабочего времени процессора.
Важнейшей характеристикой DRAM является быстродействие, а проще говоря продолжительность цикла + время задержки + время доступа, где продолжительность цикла – время, затраченное на передачу данных, время задержки – начальная установка адреса строки и столбца, а время доступа – время поиска самой ячейки. Измеряется эта фигня в наносекундах (одна миллиардная доля секунды). Современные микросхемы памяти имеют быстродействие ниже 10 мс.
Оперативной памятью управляет контроллер, который находится в чипсете материнской платы, а точнее в той его части, которая называется North Bridge.
А теперь поняв как работает оперативная память, разберемся, зачем же она вообще нужна. После процессора, оперативную память можно считать самым быстродействующим устройством. Поэтому основной обмен данными и происходит между этими двумя девайсами. Вся информация в персональном компьютере хранится на жестком диске. При включении компа в ОЗУ (Оперативное Запоминающее Устройство) с винта записываются драйвера, специальные программы и элементы операционной системы. Затем туда будут записаны те программы – приложения, которые Вы будете запускать. При закрытии этих программ они будут стерты из ОЗУ. Данные, записанные в оперативной памяти, передаются в CPU (Central Processing Unit), там обрабатываются и записываются обратно. И так постоянно: дали команду процессору взять биты по таким то адресам, как то их там обработать и вернуть на место или записать на новое – он так и сделал.
Все это хорошо, до тех пор, пока ячеек ОЗУ хватает. А если нет? Тогда в работу вступает файл подкачки. Этот файл расположен на жестком диске и туда записывается все, что не влезает в ячейки оперативной памяти. Поскольку быстродействие винта значительно ниже ОЗУ, то работа файла подкачки сильно замедляет работу системы. Кроме этого, это снижает долговечность самого жесткого диска.
Вот теперь мы и подошли к главному вопросу: «Влияет ли на скорость работы системы увеличение объема оперативной памяти?». Есть одна аксиома: увеличение объема памяти не приводит к увеличению ее быстродействия. Для тех кто не понял – изменение объема памяти (не важно, увеличение это или уменьшение) ни как не повлияет на ее работу. А вот если рассматривать работу системы, то тут дело другое. В том случае, если Вам хватает объема оперативной памяти, то увеличение объема не приведет к увеличению скорости работы системы. Если же ячеек ОЗУ не хватает, то увеличение их количества (проще говоря добавление новой или замене старой на новую с большим объемом линейки памяти) приведет к ускорению работы системы.
Объясню вышесказанное на простом и понятном примере. Есть некий молодой человек у которого имеется пустой ящик из под пива. В нем 20 пустых ячеек. Каждый день он покупал по 15 бутылок пива. Для этого он брал свой ящик, шел в магазин, покупал пиво и раскладывал бутылки по ячейкам. Потом, как-то этот человек приобрел еще один пустой ящик из под пива и ходил в магазин уже с двумя, но все равно, как покупал раньше 15 бутылок, так и продолжал это делать. Как Вы думаете, увеличилось ли быстродействие в данной операции? Думаю нет. Теперь рассмотрим тот же случай, но молодой человек каждый день покупал не 15, а 25 бутылок пива. В этом случае ему приходилось ходить два раза и покупка второго ящика заметно бы увеличило быстродействие, так как отпала бы необходимость во втором походе в магазин.
Так же и с оперативной памятью, если Вам хватает ее ячеек для хранения информации, то добавление новых не приведет к увеличению быстродействия. Но с другой стороны, справедлив вопрос: «А сколько на сегодняшний день необходимо оперативной памяти?». Все зависит от того, чем Вы занимаетесь на своем компьютере. Если Вы только лишь рассматриваете голых теток в инете да читаете мои статьи 🙂 и при этом используете Windows 98 SE, то 64 Мбайт хватит. А если Ваш любимый мастдай — Windows XP и Вы большой поклонник серьезных трехмерных игр, то боюсь тут и 256 «метров» маловато будет! Короче, каждый должен решить для себя сам.
Ежели хочите почитать о логическом построении оперативной памяти, то читайте следующую статью.