Vref на схеме что это

DataSheet

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Reference voltage (опорное напряжение)

Опорное напряжение (о. н.) V_ref— электрическое напряжение , относительно кото рого отсчитывается другое напряжение . Источник о. н . должен обеспечивать его высокую стабильность . О . н . необходимо для прямого сравнения ( в этом случае оно должно быть известным ), для измерений относительно изменений напряжения , а также для получения сигналов ошибки в стабилизаторах и регуляторах напряжения . Источниками о. н . служат нормальные элементы , параметрические стабилизаторы и др .

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Источник опорного напряжения — один из принципов и одна из реализаций

Как не счесть «алмазов в каменных пещерах» — так не счесть случаев, когда необходимо втиснуть какую-нибудь характеристику «непрерывного» внешнего мира в «дискретное» нутро цифровых алгоритмов или извлечь обратно. Как помнят многие — это делается с помощью аналого-цифровых (АЦП, ADC) и цифро-аналоговых (ЦАП, DAC) преобразователей. Но только более посвящённые — обратят при этом внимание на источник опорного напряжения для преобразований (ИОН, Reference), который во многом определяет стабильность и абсолютную точность полученного результата. Конечно, есть некоторое число случаев, когда можно произвести измерение или генерацию отношения двух токов или напряжений. Тогда достаточно подать большее из них на опорный вход преобразователя. Но это — именно «некоторое число».

Желающих ознакомиться с одним из принципов и одной из реализаций температурно-стабильного ИОН — приглашаю под кат. Помощь в этом — предоставит симулятор LTSPICE (несмотря на то, что человек с КДПВ сказал: «My favorite CAD is solder»). Желательно — знание закона Ома, правил Кирхгофа, принципов работы биполярного транзистора (на уровне модели Эберса-Молла) и идеального операционного усилителя.

КДПВ1: Robert Allan Pease — the czar of bandgap. «Орденские цепи» — из ИМС стабилизаторов в корпусе TO-3.

Как-то и сам я, осваивая 2-е переводное издание «Искусства схемотехники», макетировал подобную схему IRL. Наподобие Figure 9.91 из третьего издания в переводе teap0t, только с простым источником тока. При помещении транзисторной сборки 198НТ1 в кипяток, стрелка АВО-5М смещалась менее, чем на свою ширину.

КДПВ2: Бендер «Сгибатель» Родригез смотрит порножурнал (S1E10?).

Скачать архив с примерами и подробными результатами.

Из уравнения модели биполярного транзистора Эберса-Молла Ic = S * Is * [exp(Vbe*q/[k*T]) — 1] следует, что разность напряжений база-эмиттер двух транзисторов пропорциональна отношениям токов коллекторов и их площадей (в основном — их эмиттеров) — dVbe = (k*T/q) * ln[(Ic1 * S2) / (Ic2 * S1)] и абсолютной температуре (Iсn — токи коллекторов и Sn — площади эмиттеров соответствующих транзисторов, при комнатной температуре kT/q

26 mV). Соединив эмиттерный переход некоего транзистора с некоторым Vbe (имеющим отрицательный температурный коэффициент примерно минус 2 мВ/°C) последовательно с неким участком цепи (имеющим падение напряжения N*dVbe с положительным коэффициентом) и выбрав соответствующее N — можно получить напряжение [почти] неизменное при колебаниях температуры. Его итоговая величина оказывается весьма близкой к потенциалу запрещённой зоны полупроводника, на основе которого изготовлены транзисторы (в пределе, при T⟶0 °K, Vbe стремится к этому значению, а N*dVbe к 0) — поэтому данный тип ИОН называется «ИОН с напряжением запрещённой зоны» или «Bandgap reference». Потенциал запрещённой зоны в SPICE модели биполярного транзистора — это параметр Eg и его коэффициенты GAP1, GAP2.

Рисунок № 1.

Закинем всё это в симулятор LTSPICE в варианте, предложенном Paul Brokaw в 1974 году («A simple three-terminal IC bandgap reference») и рассмотрим пристально. На R2 и R7 выделяются напряжения dVbe с коэффициентом, прямо пропорциональным температуре (датчик температуры — на сдачу). Масштабируя их на R2-R4 или R7-R6 (Vptat — пропорциональное абсолютной температуре) и складывая с Vbe — получаем стабильное Vref. При этом — точность выходного напряжения определяется, в основном, соотношениями площадей эмиттеров и сопротивлений резисторов, что в интегральной микроэлектронике реализуется легче, чем абсолютная точность конкретного элемента.

IcQ1*R2 = dVbe1
(IcQ1+IcQ2)*R4 = Vptat1
IcQ1/IcQ2 = R1/R3
=> (1+IcQ2/IcQ1)*R4/R2 = Vptat1/dVbe1

Варьируя R4/R2 при заданных IсQ1/IсQ2 и определяемом ими dVbe1 — получаем Vptat1 с температурным коэффициентом

Vptat1 / T = (1 + IcQ2/IcQ1) * ln(IcQ2/IcQ1) * (k/q) * (R4/R2)

Справа — с одинаковыми токами через транзисторы с разными площадями эмиттеров, Q4 имеет в m раз большую площадь (или — m параллельных элементов). ООС будет поддерживать одинаковое напряжение на коллекторах при одинаковых нагрузочных резисторах или будет использована местная ОС через токовое зеркало. В итоге — получаются разные плотности токов I/S:

IcQ4*R7 = dVbe2
(IcQ3+IcQ4)*R6 = Vptat2
IcQ3=IcQ4 (т.к. R5=R8)
=> 2*R6/R7 = Vptat2/dVbe2

В итоге: Vptat2 / T = 2 * (k/q) * ln(SQ4/SQ3) * (R6/R7)

Здесь — я предварительно подобрал Vref, R2 и R7 дающие минимальную разность напряжений коллекторов при заданных остальных резисторах. Переставляя точку с запятой (комментарий) в правом блоке чёрного текста можно менять задания для параметров (температуры, сопротивления и т.п.) расчёта рабочей точки (.op).

Рисунок № 2.

Vref1	Vref2
Максимум, В	1,159418	1,158782
Минимум, В	1,158125	1,157608
Среднее, В	1,1587715	1,158195
Отклонение, %	0,05579	0,05068

Параметр	Значение, В или А
Ic(Q2), I(R3)	0,000389773
Ib(Q2)	4,23812e-006
Ie(Q2)	-0,000394011
Ic(Q1), I(R1)	0,000129817
Ib(Q1)	1,63409e-006
Ie(Q1), I(R2)	-0,000131452
I(R4)	-0,000525463
V(vref1)	1,15942
V(n006), Ve(Q1)	0,553856
V(ptat1), Ve(Q2)	0,525463

Отношение токов коллекторов — 3,0025 (что не совсем понятно — AD860x со входом на полевых транзисторах и достаточно точный), сумма — 519,59 мкА.
Отношение токов баз — 2,5936, сумма — 5,872 мкА. У транзистора Q1 проявляется падение коэффициента усиления тока при низких токах эмиттера.
Vptat1 / T = (1+IQ2/IQ1) * ln(IQ2/IQ1) * (k/q) * R4/R2 (k = 1,38*10 -23 Дж/°C, q = 1,6*10 -19 Кл) должен получиться с коэффициентом около 2 мВ * T. По расчёту — 1,75 мВ/°C.
Vptat2 / T = 2 * (k/q) * ln(SQ4/SQ3) * (R6/R7) — расчёт даёт 1,79 мВ/°C (другой ток через Q3).

Тут, вместо того, чтобы проверить влияние технологических разбросов, я бросился конструировать разнообразные химеры. Желающие могут ознакомиться с ними в архиве под именем «uglies». Они порой действительно страшноваты, например — токовое зеркало с разными сопротивлениями в эмиттерах (очевидно — отношение токов будет меняться при изменении их абсолютных значений). Хотя ИОН по мотивам LM317 довольно интересен в разборе принципа действия и характеристик.

В итоге — и от этого нашлась польза. Я заметил, что погоня за минимальным «ppm/°C», рассчитанным по типичному «коробочному» методу, может привести к увеличению абсолютной нестабильности. Analog Devices считает так:

Комментарий от Хоровица и Хилла.

Здесь и далее я рассчитывал «ppm/°C» опираясь на T1 и T2 соответствующие минимальному и максимальному значениям кривой. При малых отклонениях от точки минимальной абсолютной нестабильности возможны ситуации, когда прирост разности напряжений в числителе оказывается меньше прироста разности температур в знаменателе. Пожалуй — надо было брать полный температурный диапазон и немного улучшить свои результаты?

Теперь — посмотрим на худшие случаи вариаций параметров. В LTSPICE ничего не нашёл по вариации параметров модели для отдельных экземпляров, использующих эту модель (симуляция производственного разброса параметров). Попадалось упоминание, что в PSpice A/D есть отдельный инструмент для учёта разбросов между партиями (Lot), внутри них (Dev) и оценки чувствительности к разбросам конкретного компонента схемы. Пока — только использование «худшего случая» (worst case) и номерных моделей транзисторов с директивой «ako» на базе этих данных:

https://k6jca.blogspot.com/2012/07/monte-carlo-and-worst-case-circuit.html
https://www.analog.com/en/technical-articles/ltspice-worst-case-circuit-analysis-with-minimal-simulations-runs.html
В поле выбора модели каждого транзистора — вставлена функция худшего случая по двум параметрам «wc_2dim» выбирающая модели скорректированные по наиболее «весомым» параметрам для постоянного тока:
— току насыщения Is, который определяет Vbe конкретного транзистора и, опосредованно, температурно-зависимое dVbe в парах;
— коэффициенту Bf, который примерно определяет hfe при средних значениях тока эмиттера (при больших и малых — в дело вступают поправочные коэффициенты ISE, IKF и другие).

Входными параметрами «wc_2dim» являются номер «базовой» модели транзистора и два индекса idx, сравниваемые с переменной run. Начинать номера моделей с 0 — почему-то нельзя (зарезервировано для цепи «земля»?).

Рисунок № 3.

Недостаток тут один и большой — логарифм отношения токов. Справа — увеличив отношение токов втрое (3 2 = 9 транзисторов Q4, Camenzind называет максимальное практическое отношение в микроэлектронике на уровне 50 [1]) мы увеличим dVbe всего вдвое (с 24 до 48 мВ). Слева — попроще, в некоторых пределах мы можем выбрать довольно большое отношение R1/R3 (не забывая о диапазоне допустимого синфазного напряжения ОУ и ЭДС шума резисторов с большими номиналами). С другой стороны — увеличение числа транзисторов должно ещё уменьшать паразитный разброс само по себе (пропорционально корню квадратному их числа). Например — прелестная пара транзисторов LM194/394, состоящая из 50 параллельных ячеек для каждого и имеющая финальный разброс 100-250 мкВ. Это довольно похоже на 2 мВ современных согласованных транзисторов (DMMT39xx), делённых на корень квадратный из 50. Но, даже с отношением токов 50, — разброс остаётся большим.

Итог для Q1-Q2 с отношением токов (параметр Left) 50 — точность падает с 0,058 до 1,681 % и ТКН растёт с 13,86 до 45,92 ppm/°C. Негусто, но уже подползаем к уровню <тыщи_их>431!

Для Q3-Q4 (при m=9) — точность падает с 0,066 до 2,859 % и ТКН растёт с 16,47 до 79,28 ppm/°C. Замечание: Тут можно было-бы симулировать каждый из 9 транзисторов Q4 отдельно (или поделить для него tol_Is на √9=3). Но оценка именно худшего случая (все в плюс или минус) — верна.

Влияние резисторов с точностью 1% (на примере правой части схемы с m=9) поменьше — точность падает с 0,066 до 2,299 % и ТКН растёт с 16,47 до 64,90 ppm/°C.

Полные вариации для Q3, Q4, R5-R8 при m=9 — точность падает с 0,066 до 5,144 % и ТКН растёт с 16,47 до 144,01 ppm/°C. Скатываемся куда-то на уровень «хуже 7805».

Рисунок № 4.

Столь же простой и экстенсивный, но более действенный — подстройка отношений резисторов. Для получения минимального ТКН, если нам достаточно просто термостабильного напряжения, потребуется подстройка как минимум одного резистора в парах R2-R4 и R6-R7. «Чему в истории мы тьму примеров сыщем» — начиная от «вульгарных» LM317 (https://richis-lab.de) с пережигаемыми перемычками в слое металлизации (STMicroelectronics, обратите внимание — подстройка в весьма широком диапазоне) или стабилитронами (NSC), через <их_тыщи>431, до прецизионных ИОН типа AD584 с лазерной подстройкой тонкоплёночных(?) резисторов.

Обратите внимание, фактически R38 (между базами Q1 и Q2) — отсутствует. Место подгонки R30 — выделено стрелкой справа посередине.

Рисунок № 5.

В финале, если нужна ещё и заданная величина выходного напряжения, — надо подстроить и делитель в цепи ОС выходного усилителя (R48 на рисунке № 6).

Рисунок № 6.

Не рассмотрен ТКС резисторов (от ±50-100 ppm/°C для точности 1% до ±единиц ppm/°C для более точных). Допустимо ли утверждать, что у резисторов близких номиналов, одного производителя и одной партии — сопротивления дрейфуют согласованно?
Не рассмотрены методы обеспечения одинаковой температуры для всех ключевых элементов и минимизации температурных градиентов [ссылка в 3].
В финале речь пойдёт о разбиении резистора на части для точной подстройки. Если делать это в «дискрете», то понадобятся запаиваемые (или перерезаемые) перемычки на плате. Можно подискутировать об их термоЭДС (для запаиваемых) или о влагопоглощении повреждённого места печатной платы (для перерезаемых). ТермоЭДС представляется мне меньшим злом, т.к. это будут два встречно включенных спая, находящихся при очень близкой температуре.

Пример компенсации квадратичной нелинейности (Q3 — на одном кристалле с Q2, Q5). При Run=0 (R4 > 0 и Q3 работает) выходное напряжение меняется менее, чем на 452 мкВ во всём диапазоне температур. Примерно в 2-3 раза лучше «базовой» схемы. Исходные посылки — смотрите у Camenzind, fig. 7-14, 7-15 в [1], Brokaw на стр. 38-43 в [2] и Pease на стр. 2-3 в [3].

Рисунок № 8.

R1 подбирается так, чтобы максимум выходного напряжения без действия Q3 был смещён в область пониженных температур и была «удлиннённая» спадающая ветвь в области повышенных. Подбором соотношения R3 и R4 (при фиксированной сумме) — определяем момент вступления в дело Q3 при повышении температуры. Совместным подбором R2-R4 минимизируем разность максимального и минимального напряжений. Не забудьте, что в результате датчик температуры станет привирать!

Можно разбить R1 на части и подключить коллектор Q3 в точку их соединения. Тогда можно будет понизить номинал R2 (меньше шум, проще реализация в ИС). Но делать его сильно маленьким (менее 3-10 кОм) нецелесообразно, т.к. эмиттерный переход Q3 станет заметно шунтировать R4.

Моделировать разброс по параметрам цепи коррекции — как-то страшновато. Вдруг всё сломается? Кто сделает? 😉

В конце, для тренировки остатков мозга и набития фрагов в обращении с LTSPICE разработал «на бумаге» упрощенный ИОН на 2,048 В на дискретных компонентах — 13 транзисторов (Q2 и Q3 — по 3 параллельных), два подборных резистора (по одному в парах R1-R2 и R6-R7). Q2 и Q4 — согласованная сборка CA3046, LM3046, TBA331 (сейчас производятся HFA3046, NTE912 или взять DMMT3904 или BCM84x или, из «наших», 198НТ1 или КТ222). Последний, пятый, транзистор в её составе попробуем оставить «про запас». Сам задатчик опорного напряжения Q1-Q4 (с 9-кратным отношением токов, раз уж всё равно надо подстраивать резисторы) является и первым каскадом усилителя ОС. Q6 и Q7 — обеспечивают запуск и формируют нагрузку для Q8. R4 и R5 — достаточны с допуском 5%. С погрешностью установки выходного напряжения от пропорциональных температуре базовых токов Q2 и Q4 борюсь очень грубой силой — увеличением тока делителя R6 и R7. Так и частотные характеристики несколько улучшаются, т.к. это нагрузка выходного каскада. L1, C4 и V2 — для анализа АФЧХ при разомнутой ОС по переменному току (задать L1 и C4 — по 1 Meg). C1, C2 и R3 формируют двухполюсную коррекцию АЧХ — в меру своего незнания пытаюсь расширить частотный диапазон, в котором доступно повышенное петлевое усиление. На LDO’шность прокачивать не стал, минимальное напряжение питания при симуляции — 4 В (вероятно — и от 3 В будет ещё прилично работать).

Для наглядности — всем 4 значениям R1 сопоставлены подходящие к заданному выходному напряжению значения R6. Поэтому кривые Vout расположены не так, как на рисунке № 2. При выбранном R2 = 1 кОм, минимальный ТКН (3,237 мВ в абсолютном выражении, 26,324 ppm/°C) получается при R1 = 443 Ом. Расчёт Vptat / T = 4 * (k/q) * ln(9) * (R2/R1) даёт 1,71 мВ/°C (4 это 1 плюс отношение тока эмиттера Q4 к току R1), а по результатам симуляции — 1,76 мВ/°C.

Рисунок № 9.

Рисунок № 10 — АФЧХ.

Вариации выходного напряжения:

Вывод. К #импортозамещение — готов? 😉

Литература, в порядке использования:

[1] Книга Hans Camenzind, «Designing analog chips»
[2] Печатная лекция A. Paul Brokaw, «How to make a bandgap voltage reference in one easy lesson»
[3] Пара избранных заметок Robert A. Pease, «The Design of Band-Gap Reference Circuits: Trials and Tribulations» и «What’s All This VBE Stuff, Anyhow?»

Более-менее полное ПСС Боба — смотрите тут. В заметке «How To Make Your Own Matched Transistors» Вы можете найти базовую идею схемы для подбора парных транзисторов при необходимости и упоминание о том, что, как правило, сборки 3046 согласованы лучше, чем на 1 мВ.

И — ещё одно его фото в царском костюме, с пригоршней ИМС в ладонях:

[4] Или — попробуйте найти [3] в испохабленном «грязными ковбоями» виде на сайте www.ti.com или на их форуме e2e.ti.com

Synopsys: Simulating Brokaw bandgap reference in LTSPICE, BJT DC parameters variation in LTSPICE.

Vref на схеме что это

2 часа назад
Тема:Работа сайта и сервера
От:Obam

—>

Другие известные форумы и сайты по электронике

все что посвящено электронике и общению специалистов. реклама других ресурсов.

Магазины
Форумы и конференции
Производители
Информационные ресурсы
Поисковики
FTP-серверы

5 июня
Тема:Отзывы о магазинах
От:Electrobit

—>

В помощь начинающему

вопросы начального уровня

Модераторы раздела VAI aosp SergM vetal KRS Alexandr des00 Uladzimir Rst7 iosifk ViKo Herz l1l1l1 Tanya Сергей Борщ Omen_13 fill Vasily_ Егоров Walrus

ARM, 32bit
MCS51, AVR, PIC, STM8, 8bit
Программирование
Схемотехника
Интерфейсы

Воскресенье в 15:07
Тема:Усилитель термопары.
От:khlenar

—>

International Forum

This is a special forum for English spoken people, read it first.

26 апреля
От:mosagepa

—>

Образование в области электроники

все что касается образования, процесса обучения, студентам, преподавателям.

6 часов назад
Тема:Создание профессиональной ассоциации по микроэле…
От:Electrobit

—>

Обучающие видео-материалы и обмен опытом

Обсуждение вопросов создания видео-материалов

Модераторы раздела iosifk

6 июня
Тема:Обучающие видео по Verilog
От:AleksBak

Cистемный уровень проектирования

Последнее сообщение

—>

Вопросы системного уровня проектирования

Применение MATLAB, Simulink, CoCentric, SPW, SystemC ESL, SoC

Модераторы раздела Rst7

9 часов назад
Тема:Мапл математика маткад матлаб. В чем разница? Ко…
От:yes

—>

Математика и Физика

Модераторы раздела Rst7

4 июня
Тема:Экспонента
От:dimka76

—>

Операционные системы

Linux, Win, DOS, QNX, uCOS, eCOS, RTEMS и другие

Модераторы раздела Rst7

Программирование
Linux
uC/OS-II
scmRTOS
FreeRTOS
Android

16 часов назад
Тема:Иконки "Красный минус в черном кружке" — как убр…
От:svss

—>

Документация

оформление документации и все что с ней связано

Модераторы раздела Rst7

Пятница в 18:43
Тема:Оформление сборочного чертежа на узел
От:malshin

—>

Системы CAD/CAM/CAE/PLM

обсуждение САПР AutoCAD, Компас, SolidWorks и др.

38 минут назад
Тема:Михаил Мишустин призвал представителей российско…
От:Yuri7751

—>

Разработка цифровых, аналоговых, аналого-цифровых ИС

Модераторы раздела Rst7

4 часа назад
Тема:Прошу помочь найти кандидата или доктора наук, в…
От:Кибераугментика

—>

Электробезопасность и ЭМС

Обсуждение вопросов электробезопасности и целостности сигналов

Модераторы раздела Rst7

ЭМС
Электробезопасность

27 мая
Тема:Питание ATEX от USB-C
От:DanilinS

—>

Управление проектами

Управление жизненным циклом проектов, системы контроля версий и т.п.

Модераторы раздела Rst7

17 марта
Тема:Не проходит авторизацию при push после смены пра…
От:KARLSON

—>

Нейронные сети и машинное обучение (NN/ML)

Форум для обсуждения вопросов машинного обучения и нейронных сетей

Модераторы раздела Rst7

7 апреля
Тема:Распознавание изображений+Генерация музыки
От:k155la3

Программируемая логика ПЛИС (FPGA,CPLD, PLD)

Последнее сообщение

—>

Среды разработки — обсуждаем САПРы

Quartus, MAX, Foundation, ISE, DXP, ActiveHDL и прочие.
возможности, удобства.

Модераторы раздела vetal />des00 />

Пятница в 20:40
Тема:Принцип работы ILA ядер в XILINX Vivado (2018 и …
От:likeasm

—>

Работаем с ПЛИС, области применения, выбор

на чем сделать? почему не работает? кто подскажет?

Модераторы раздела vetal />des00 />

5 часов назад
Тема:GoWin запрограммировать с МК
От:iiv

—>

Языки проектирования на ПЛИС (FPGA)

Verilog, VHDL, AHDL, SystemC, SystemVerilog и др.

Модераторы раздела aosp vetal des00

6 часов назад
Тема:рекурсивные модули, а что так можно было?
От:andrew_b

—>

Системы на ПЛИС — System on a Programmable Chip (SoPC)

разработка встраиваемых процессоров и периферии для ПЛИС

Модераторы раздела vetal des00 Omen_13

Суббота в 08:53
Тема:Появилась ошибка при сборке проекта НИОС
От:_sda

Цифровая обработка сигналов — ЦОС (DSP)

Последнее сообщение

—>

Сигнальные процессоры и их программирование — DSP

Обсуждение различных сигнальных (DSP) процессоров, возможностей, совместимости и связанных с этим тем.

Модераторы раздела des00

22 мая
Тема:ADSP-21489
От:LexaryStyle

—>

Алгоритмы ЦОС (DSP)

Обсуждение вопросов разработки и применения (программирования) алгоритмов цифровой обработки сигналов.

Модераторы раздела des00

17 часов назад
Тема:Помехоустойчивость. Моделирование полярных и LDP…
От:MeIh

Микроконтроллеры (MCs)

Последнее сообщение

—>

Cредства разработки для МК

FAQ, How-to, тонкости работы со средствами разработки

IAR
Keil
GNU/OpenSource средства разработки

Четверг в 18:07
Тема:STM32L476 Keil размещение массива по определенно…
От:Димон Безпарольный

—>

STM
NXP
Microchip (Atmel)
TI, Allwinner, Nordic Semiconductor, Espressif Systems и другие

2 часа назад
Тема:Перепрограммирование китайского ST-LINK в JLINK
От:Obam

—>

29 апреля
Тема:Soft ядро avr
От:ZodiaK

—>

MSP430

Модераторы раздела VAI

21 апреля
Тема:MSP430F5172 XT1
От:k155la3

—>

Все остальные микроконтроллеры

и все что с ними связано

PIC
MCS51
PowerQUICC
HC(S)08
AVR32
STM8
MIPS

Пятница в 18:30
Тема:HITECH PICC18 9.50PL3
От:Driver_GV

—>

Отладочные платы

Вопросы, связанные с отладочными платами на базе МК: заказ, сборка, запуск

Arduino
Raspberry Pi
Rainbow
Siberia
EVMxxxx

Среда в 09:36
Тема:China-Link, Вариант отладчика из Китая
От:Azlina

Печатные платы (PCB)

Последнее сообщение

—>

Разрабатываем ПП в САПР — PCB development

FAQ, вопросы проектирования в ORCAD, PCAD, Protel, Allegro, Spectra, DXP, SDD, WG и др.

Модераторы раздела SergM />fill />

Библиотеки компонентов
Altium Designer, DXP, Protel
P-CAD 200x howto
Эремекс, Delta Design
Cadence
Примеры
Zuken CADSTAR
Siemens EDA — Xpedition, PADS (ex. Mentor)
Бесплатные САПР: KiCAD, EasyEDA, EAGLE и др.

17 часов назад
Тема:Импорт Gerber в HyperLynx
От:Frederic

—>

Работаем с трассировкой

тонкости PCB дизайна, от Spectra и далее.

Модераторы раздела fill

23 мая
Тема:Трассировка Ethernet с HR911105A
От:Arlleex

—>

Изготовление ПП — PCB manufacturing

Фирмы, занимающиеся изготовлением, качество, цены, сроки

Модераторы раздела fill

ПСБ Технолоджи
ТеПро
PS-Electro
Резонит
PCB Professional
Абрис
ОАО "НИЦЭВТ"
ООО "М-Плата"
в домашних условиях

2 часа назад
Тема:Как правильно делать мультизатовку? Скрабировани…
От:IgorAVR2

Сборка РЭУ

Последнее сообщение

—>

Пайка и монтаж

вопросы сборки ПП, готовых изделий, а также устранения производственных дефектов

2 часа назад
Тема:Чем залить кристалл?
От:k155la3

—>

Корпуса

обсуждаем какие есть копруса, где делать и прочее

19 апреля
Тема:Соединение алюминиевого корпуса и медных полигон…
От:T_A_N

—>

Вопросы надежности и испытаний

расчеты, методики, подбор компонентов

6 июня
Тема:Пояснение климатических исполнений для оборудова…
От:Kiber99

Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника

Последнее сообщение

—>

Вопросы аналоговой техники

разработка аналоговых схем, моделирование схем в SPICE, расчёты и анализ, выбор элементной базы

Модераторы раздела Alexandr ViKo Tanya Егоров

7 июня
Тема:Какую топологию выбрать, чтобы изменить дифф сос…
От:iiv

—>

Цифровые схемы, высокоскоростные ЦС

High Speed Digital Design

Пятница в 06:12
Тема:Снятие аппаратной защиты записи с MX25L25645G
От:Propretor!

—>

RF & Microwave Design

wireless технологии и не только

Модераторы раздела l1l1l1

5 часов назад
Тема:Проектирование МПА с круговой поляризацией
От:uve

—>

Метрология, датчики, измерительная техника

Все что связано с измерениями: измерительные приборы (осциллографы, анализаторы спектра и пр.), датчики, обработка результатов измерений, калибровка, технологии измерений и др.

Модераторы раздела ViKo />Tanya />

Воскресенье в 19:37
Тема:Помогите опознать прибор
От:k155la3

—>

АВТО электроника

особенности электроники любых транспортных средств: автомашин и мотоциклов, поездов, судов и самолетов, космических кораблей и летающих тарелок.

Модераторы раздела Vasily_

10 марта
Тема:12В 6А от бортсети 12/24
От:Plain

—>

Умный дом

Четверг в 18:50
Тема:BEEPTOOLKIT — R&D программно аппаратный симулято…
От:mantech

—>

3D печать

3D принтеры, наборы, аксессуары, ПО

16 сентября, 2021
Тема:Проблемы печати
От:baumanets

—>

Робототехника

Модели, классификация, решения, научные исследования, варианты применения

31 марта
Тема:Подключение дисплея 3.2inch 320×240 Touch LCD (А…
От:Aaronli

—>

Ремонт и отладка

обсуждение вопросов ремонта и отладки различных устройств и готовых изделий

Модераторы раздела Herz

6 июня
Тема:Компонент с непонятной маркировкой
От:Nicolai326

Силовая Электроника — Power Electronics

Последнее сообщение

—>

Силовая Преобразовательная Техника

Источники питания электронной аппаратуры, импульсные и линейные регуляторы. Топологии AC-DC, DC-DC преобразователей (Forward, Flyback, Buck, Boost, Push-Pull, SEPIC, Cuk, Full-Bridge, Half-Bridge). Драйвера ключевых элементов, динамика, алгоритмы управления, защита. Синхронное выпрямление, коррекция коэффициента мощности (PFC)

Модераторы раздела Herz />Егоров />

8 часов назад
Тема:Измерение тока повышающего преобразователя
От:LLLLLLLLLL

—>

Обратная Связь, Стабилизация, Регулирование, Компенсация

Организация обратных связей в цепях регулирования, выбор топологии, обеспечение стабильности, схемотехника, расчёт

Модераторы раздела Herz />Егоров />

13 мая
Тема:Блокировка по силе тока во вторичной части
От:Levontay

—>

Первичные и Вторичные Химические Источники Питания

Li-ion, Li-pol, литиевые, Ni-MH, Ni-Cd, свинцово-кислотные аккумуляторы. Солевые, щелочные (алкалиновые), литиевые первичные элементы. Применение, зарядные устройства, методы и алгоритмы заряда, условия эксплуатации. Системы бесперебойного и резервного питания

Модераторы раздела Herz />Егоров />

22 марта
Тема:подскажите простой способ сделать зарядку двух L…
От:yes

—>

Высоковольтные Устройства — High-Voltage

Высоковольтные выпрямители, умножители напряжения, делители напряжения, высоковольтная развязка, изоляция, электрическая прочность. Высоковольтная наносекундная импульсная техника

Модераторы раздела Herz

5 апреля
Тема:Маломощный трансформатор 220В -> 6000
От:Алексей Р

—>

Электрические машины, Электропривод и Управление

Электропривод постоянного тока, асинхронный электропривод, шаговый электропривод, сервопривод. Синхронные, асинхронные, вентильные электродвигатели, генераторы

Модераторы раздела Herz

22 мая
Тема:Что за двигатель?
От:Grower

—>

Индукционный Нагрев — Induction Heating

Технологии, теория и практика индукционного нагрева

Модераторы раздела Herz

Суббота в 17:21
Тема:Индукционный нагреватель
От:Парус

—>

Системы Охлаждения, Тепловой Расчет – Cooling Systems

Охлаждение компонентов, систем, корпусов, расчёт параметров охладителей

Модераторы раздела Herz

1 июня
Тема:Сравнение экспериментальных данных с расчетом
От:ZodiaC

—>

Моделирование и Анализ Силовых Устройств – Power Supply Simulation

Моделирование силовых устройств в популярных САПР, самостоятельных симуляторах и специализированных программах. Анализ устойчивости источников питания, непрерывные модели устройств, модели компонентов

Модераторы раздела Herz />Егоров />

3 апреля
Тема:Протеус глючит
От:Levontay

—>

Компоненты Силовой Электроники — Parts for Power Supply Design

Силовые полупроводниковые приборы (MOSFET, BJT, IGBT, SCR, GTO, диоды). Силовые трансформаторы, дроссели, фильтры (проектирование, экранирование, изготовление), конденсаторы, разъемы, электромеханические изделия, датчики, микросхемы для ИП. Электротехнические и изоляционные материалы.

Модераторы раздела Herz />Егоров />

2 июня
Тема:Включение/ выключение нагрузки 3-4kW (80V) полев…
От:Aner

Интерфейсы

Последнее сообщение

—>

Форумы по интерфейсам

все интерфейсы здесь

ISDN/G.703/E1
ISA/PCI/PCI-X/PCI Express
Wireless/Optic
RS232/LPT/USB/PCMCIA/FireWire
Fast Ethernet/Gigabit Ethernet/FibreChannel
Интерфейсы для "интеллектуального дома"
от ТТЛ до LVDS здесь
IDE/ATA/SATA/SAS/SCSI/CF
Аудио/Видео интерфейсы
Сотовая связь и ее приложения
FAQ по XPort/WiPort
Controller Area Network (CAN)

16 часов назад
Тема:SIM7600 : USB интерфейс
От:CADiLO

Поставщики компонентов для электроники

Последнее сообщение

—>

Поставщики всего остального

от транзисторов до проводов

2 июня
Тема:Мы являемся поставщиком электронных компонентов …
От:makc

—>

Компоненты

Закачка тех. документации, обмен опытом, прочие вопросы.

Тех. документация
Микросхемы
Транзисторы
Диоды
Резисторы
Средства индикации

Воскресенье в 20:25
Тема:Помогите подобрать P канальный Мосфет
От:Alexanor

Майнеры криптовалют и их разработка, BitCoin, LightCoin, Dash, Zcash, Эфир

Последнее сообщение

—>

Обсуждение Майнеров, их поставки и производства

наблюдается очень большой спрос на данные устройства.

16 июля, 2021
Тема:Материнские платы для майнинга
От:Doka

Дополнительные разделы — Additional sections

Последнее сообщение

—>