Ao3409l где стоит

Здравствуйте.
Ноутбук Samsung Np-Rv510-A01, на ноутбуке нет подсветки на матрицу экрана.
Материнская плата:
Model: Scala-15UL
Code: BA41-01323A
REV: MP1.0
История ремонта:
1) В начале не было подсветки на экран, был куплен новый шлейф для LCD
2) При подключении китайского шлейфа был вставлен в гнездо верх тармашками. Ноутбук вообще не показывал видео ни на LCD ни на внешний экран
3) Моих сил больше не было, отдал мастеру на ремонт. Мастер сказал, что матрицу уже не вернуть, а на материнской плате сгорело пару ключей, из-за не правильного подключения разъема LCD.
4) после его ремонта ноутбук включался, но вот только если я вытаскивал кабель питания из розетки, и ноутбук работал от батареи, то первые секунды 3-5 подсветка экрана мигала, и потом переходила в эконом режим, и в WINDOWS этого никак нельзя было изменить.
5) через 4 месяца использования подсветка перестала работать, хоть если посмотреть под углом, то видно, изображение на матрицу подается.
6) Мастер отказался брать на ремонт, я открыл ноутбук, и увидел, что транзистор, обалдеть каких размеров, был припаян им, и 2 ножки его уже отвалились.

У вас нет доступа для просмотра вложений:
1. Пожалуйста авторизуйтесь или зарегистрируйтесь.
2. Вы должны иметь 15 (ПЯТНАДЦАТЬ) или более сообщений.
3. У нас можно купить доступ к файлам.

Ao3409l где стоит

AO3409L MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: AO3409L

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 6.8 nC

Время нарастания (tr): 3.2 ns

Выходная емкость (Cd): 50.3 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.13 Ohm

AO3409L Datasheet (PDF)

AO3409L AO3409L

AO3409P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO3409 uses advanced trench technology to VDS (V) = -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. This A (VGS = -10V)device is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON)

8.1. ao3409.pdf Size:234K _aosemi

AO3409L AO3409L

AO340930V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AO3409 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate charge. This device is ID (at VGS=-10V) -2.6Asuitable for use as a load switch or in PWM applications. RDS(ON) (at VGS=-10V)

8.2. ao3409.pdf Size:434K _shenzhen

AO3409L AO3409L

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd AO3409AO3409P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO3409 uses advanced trench technology to VDS (V) = -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. This A (VGS = -10V)device is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON)

8.3. ao3409.pdf Size:1224K _kexin

AO3409L AO3409L

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement ModeField Effect TransistorAO3409 (KO3409)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.1Features3VDS (V) = -30VID = -2.6 A (VGS = -10V)1 2RDS(ON)

8.4. ao3409-3.pdf Size:1335K _kexin

AO3409L AO3409L

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFETAO3409 (KO3409)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1Features 3VDS (V) = -30VID = -2.6 A (VGS = -10V)RDS(ON)

AO3409L AO3409L

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFETAO3409 (KO3409)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1Features 3VDS (V) = -30VID = -2.6 A (VGS = -10V)RDS(ON)

8.6. ao3409a.pdf Size:1622K _umw-ic

AO3409L AO3409L

RUMWUMW AO3409AUMW AO3409AFeaturesSOT23 VDS (V) = -30VID = -2.6 A (VGS = -10V)RDS(ON)