M378a1k43db2 ctd какие чипы

Обзор и тестирование Samsung M378A1K43CB2-CTD 8Gb 2666MHz cl19

Всем привет, после недавней покупки материнской платы Asus Maximus VIII Hero под кофемод и памяти на Samung B-die только для того, чтобы поиграть в разгон памяти, я поймал себя на мысли: «А что могут обычные «зеленки» в руках начинающего оверклокера?». Из самых доступных и подающих надежды вариантов были запримечены Samsung M378A1K43CB2-CTD и Crucial CT8G4DFS8266, цены которых, на момент написания статьи, были в пределах 3000р. в большинстве популярных магазинов. Оба варианта имеют одностороннюю чиповку, объем 8Гб, частоту 2666 cl19 при напряжении 1.2В. Не знаю почему, но захотелось взять Samsung.

реклама

Для теста на один день было взято шесть экземпляров. В моем случае поставка была ОЕМ, без какой-либо упаковки.

И вот они красавицы китаянки)

реклама

Для удобства описания память была пронумерована от 1 до 6 сверху вниз, слева направо.

Маркировка на плашках.

Для определения частотного потенциала памяти и минимальных таймингов были выставлены напряжения: VCCIO=1.3В, VCCSA=1.35В, DRAM Voltage=1.45В. Чтобы исключить нагрев, напротив образцов устанавливался 120 мм. вентилятор. Частоту выбрал 3866МГц, т.к. по опыту разгона своей памяти на материнской плате Asus M8H на BIOS 3802 с Т-топологией, она легче всего поддается тренировке, нежели 4000МГц. Вставлял по одному модулю памяти во второй слот (DIMM A2), критерием успеха на данном этапе считалось прохождение инициализации до BIOS. Дальнейший этап тестирования предусматривал поиск минимального напряжения до входа в BIOS.

реклама

Результаты тестирования выглядят следующим образом:

№	Частота	tCL	tRCD/tRP	tRAS	DRAM V
1	3866	16	21	41	1.405
2	3866	16	21	41	1.500
3	3866	16	21	41	1.425
4	3866	16	22	42	1.440
5	3866	16	21	41	1.425
6	3866	16	21	41	1.435

Как мы видим лидером по наименьшему напряжению становится модуль памяти под №1, второе место разделили модули памяти под №3 и №5 (в дальнейшем в Windows второе место было присуждено №5, по причине большей стабильности при равном напряжении).

Далее был проведен поиск стабильных первичных таймингов и настройка субтаймингов на двух лучших экземплярах.

реклама

Настройка tRDWR_sg и tRDWR_dg =10 осталась на потом и поэтому тест не завершен до конца, но я верю, что они с 90% вероятностью взяли бы данные значения.

Для сравнения мои Samung B-die (разница в латентности 5нс).

ВЫВОДЫ:

Было очень интересно подержать в руках оперативную память, которая стоит вдвое дешевле твоей и позволяет получить адекватные тайминги (кроме tRFC и tRCD с tRP). Но включив деда, я вспомнил те времена, когда она стоила около 1700р за единицу, что очень подкупало. Сейчас же, с появлением популярных и в меру дорогих Micron E-die, этот выбор кажется очень странным в среднем игровом компьютере, где не стоит цели сэкономить на всем, а если и стоит, то пусть это будет корпус. Всем добра 😉

Характеристики оперативной памяти Samsung M378A1K43CB2-CTD

DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных) – современный тип оперативной памяти, пришедший на смену SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом). Сейчас память SDRAM считается сильно устаревшей.

На сегодняшний день самым распространенным типом оперативной памяти для ПК является представитель третьего поколения DDR — DDR3.

На смену DDR3 постепенно приходят модули памяти DDR4, но большого распространения они пока не получили из-за высокой стоимости самих планок памяти и материнских плат для них. Теоретическая скорость передачи данных у модулей памяти DDR4 в два раза выше чем у DDR3, но на практике DDR4 пока не сильно выигрывает у DDR3.

DDR — самый первый вид оперативной памяти с удвоенной скоростью передачи данных. Данная технология является устаревшей.

DDR2 — следующее поколение оперативной памяти типа DDR. Может работать на более высокой частоте по сравнению с первой версией DDR.

Совместимость между различными представителями DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4) отсутствует.

DDR3L — DDR3 с пониженным энергопотреблением (1,35В, вместо 1,5 у стандартных). Совместима с DDR3.

Сейчас иногда еще можно встретить сильно устаревшую память RDRAM.

DIMM (Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) – форм-фактор модуля памяти, пришедший на смену SIMM (Single In-line Memory Module, односторонний модуль памяти). Основным преимуществом DIMM перед SIMM является ускорение передачи данных. DIMM также имеет функцию обнаружения и исправления ошибок, что обеспечивает более надежную передачу данных.

SO-DIMM (или SODIMM), MicroDIMM, MiniDIMM — форм-факторы памяти, используемые в портативных устройствах (ноутбуках, планшетах).

FB-DIMM (Fully Buffered, полностью буферизованный) – серверная оперативная память. Обеспечивает повышенную скорость и точность передачи данных. Несовместима с обычными небуферизованными модулями памяти DIMM.

LRDIMM (load-reduced dual inline memory module, двухсторонний модуль памяти с уменьшенной нагрузкой) – серверная оперативная память, которая устанавливается в дата-центрах и серверах с большой нагрузкой.

RIMM — устаревший форм-фактор модулей памяти для ПК.

Иногда в комплекте могут продаваться сразу несколько одинаковых модулей памяти.

Количество памяти на каждом модуле, которая доступна для записи информации.

Тактовая частота показывает какое количество операций может совершить модуль памяти за 1 секунду. Соответственно, чем выше данный показатель, тем память работает быстрее. Для всех моделей памяти DDR: DDR, DDR2, DDR3, DDR4 значение таковой частоты указывается удвоенным.

Дополнительные характеристики

Показывает какое количество данных может быть передано или получено за 1 секунду.

EСС (Error Checking and Correction – проверка и исправление ошибок) – это технология, разработанная для нахождения ошибок и их исправления (если ошибок не слишком много). Модули памяти с ECC, как правило, устанавливают на серверах и в дата-центрах, поскольку при небольшой нагрузке (среднестатистического ПК) ошибки практически не возникают. Модули памяти с ECC и без ECC несовместимы.

Буфер (регистр) повышает надежность хранения и передачи информации, но несколько снижает производительность. Буферизованная (регистровая) память устанавливается, как правило, на серверах, поскольку при незначительной нагрузке, такой, как на среднестатистическом ПК буфер только замедляет его работу. Буферизованные и небуферизованные модули памяти несовместимы.

Высота модуля памяти уменьшена до 25мм.

Количество контактов модуля памяти с гнездом материнской платы.

Количество чипов (микросхем), предназначенных для хранения памяти, находящихся на одном модуле.

Напряжение, которое требуется для питания модуля памяти. Для совместимости материнская плата должна поддерживать данное напряжение.

Наличие радиатора повышает теплоотведение, препятствуя перегреву оперативной памяти. Его наличие крайне желательно для модулей памяти, работающих на высоких частотах (больше 1333 МГц).

CAS-latency (column address strobe latency – задержка на получение столбца) — время ожидания (циклов) между запросом на получение данных из ячейки памяти и временем, когда она начнет считываться. CAS-latency (CL или CAS-задежка) является важной характеристикой быстродействия оперативной памяти. Чем она ниже, тем память работает быстрее. Возможно также дробное значение данного показателя (например: 2.5).

Расположение чипов (микросхем) памяти на планке. Чипы могут располагаться с одной или с двух сторон.

tRCD (RAS to CAS Delay) – задержка (в циклах) между сигналами, определяющими адрес строки (RAS — Row Address Strobe) и адрес столбца CAS (Column Address Strobe). Чем она ниже, тем быстрее работает оперативная память.

tRP (Row Address Strobe Precharge Time) — время (в циклах), необходимое для закрытия строки памяти и открытия новой строки. Чем оно меньше, тем быстрее работает модуль памяти.

tRAS (Activate to Precharge Delay) — задержка (в циклах) между командой активации (RAS) и закрытия строки памяти. Чем она меньше, тем быстрее работает модуль памяти.

Ранк — область памяти, состоящая из всех или только части чипов (микросхем) данного модуля памяти. Некоторые материнские платы (в основном серверные) имеют ограничение на количество ранков, поэтому модули памяти с ранком равным единице ценятся немного больше.

Совместимость с материнскими платами или компьютерами, заявленная производителем данного модуля памяти. Полный список совместимых моделей почти всегда гораздо шире.

Модули DDR4 SDRAM на чипах Samsung A-die начали появляться в продаже

Весной стало известно, что компания Samsung прекращает производство своих популярных чипов DDR4-памяти B-die. Они выпускались по устаревшему 20-нм техпроцессу, поэтому южнокорейская компания захотела заменить их на новые микросхемы M-die и A-die, производимые с применением более «тонких» литографических норм. И хотя чипы B-die пока ещё не окончательно ушли с рынка, в продажу постепенно начинают поступать модули памяти, построенные на микросхемах Samsung нового поколения. Первые модули на чипах M-die добрались до розницы в июне, а на днях в продаже была замечена память, где применяются наиболее прогрессивные на данный момент микросхемы Samsung A-die.

Модули DDR4-памяти, в основе которых используются чипы Samsung B-die, особенно популярны среди энтузиастов за свой высокий частотный потенциал и хорошие возможности разгона при увеличении напряжения питания. По этой причине на таких чипах основывается подавляющее число оверклокерских комплектов памяти. Однако те модули на базе чипов Samsung B-die, которые всё ещё поставляются на рынок в настоящее время, изготавливаются из складских остатков, поскольку выпуск чипов DDR4 по 20-нм техпроцессу Samsung прекратила в первом квартале этого года.

На смену им рано или поздно придут более новые микросхемы. Для производства чипов памяти M-die компания Samsung применяет техпроцесс класса 1y-нм (второго поколения), в то время как в производстве микросхем A-die используется ещё более современная технология с литографическими нормами класса 1z-нм (третьего поколения). Дополнительным преимуществом новых чипов выступает их увеличенная ёмкость, достигающая 16 Гбит. Это позволяет выпускать на их основе односторонние модули памяти с ёмкостью 16 Гбайт и двухсторонние — ёмкостью 32 Гбайт, что с использованием микросхем B-die было попросту невозможно.

Первые модули с наиболее современными микросхемами A-die, которые появились в европейской рознице — Samsung M378A4G43AB2-CVF. Это — произведённые самой Samsung обычные небуферизованные модули ёмкостью 32 Гбайт, ориентированные на режим DDR4-2933 с таймингами 21-21-21 и рабочим напряжением 1,2 В. Однако нужно иметь в виду, что такие достаточно высокие задержки соответствуют спецификации JEDEC и не отражают разгонных возможностей модулей.

Например, 32-гигабайтные модули памяти Samsung M378A4G43MB1-CTD, которые основываются на чипах M-die и появились в продаже тремя месяцами ранее, при номинальной частоте DDR4-2666 и таймингах 19-19-19 легко разгоняются до состояния DDR4-3600. Вполне логично предположить, что более совершенные модули Samsung M378A4G43AB2-CVF будут разгоняться как минимум не хуже.

Модули памяти Samsung M378A4G43AB2-CVF на чипах A-die объёмом 32 Гбайт доступны в Европе по цене порядка €135 без учёта НДС.