Aon7200 где стоит
Перейти к содержимому

Aon7200 где стоит

SAMSUNG NP270E5V сгорают входные ключи

Таких У меня не было, решил поставить AON7410 Вместо одного и другого.

При старте появлялось потребление тока 0.85A — но ноут не стартовал.
После нескольких включений выключений, сгорает первый ключ которые стоит в место AON7200 — уходит в КЗ потребление тока моментом взлетело ( 1.5A ) больше не дал ограничитель.
________________________________________

Вопрос: этот мосфет AON7410 вроде как идентичен — или все же так ставить нельзя ?

Aon7200 где стоит

AON7200 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: AON7200

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 2 ns

Выходная емкость (Cd): 490 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm

AON7200 Datasheet (PDF)

..1. aon7200.pdf Size:221K _aosemi

AON7200 AON7200

AON7200 30V N-Channel MOSFET General Description Product SummaryVDS30VThe AON7200 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 40Afrequency switching performance. Conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

8.1. aon7202.pdf Size:229K _aosemi

AON7200 AON7200

AON720230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AON7202 uses Trench MOSFET technology thatis uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 40Afrequency switching performance. Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

9.1. aon7264e.pdf Size:348K _aosemi

AON7200 AON7200

AON7264ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 28A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

9.2. aon7292.pdf Size:259K _aosemi

AON7200 AON7200

AON7292100V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power AlphaMOS (MOS MV) technology 100V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 23A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

9.3. aon7280.pdf Size:270K _aosemi

AON7200 AON7200

AON728080V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AON7280 uses trench MOSFET technology that is 80Vuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 50Afrequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

9.4. aon7244.pdf Size:277K _aosemi

AON7200 AON7200

AON724460V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS60VThe AON7244 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 50Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)

9.5. aon7262e.pdf Size:337K _aosemi

AON7200 AON7200

AON7262ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 34A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

9.6. aon7232.pdf Size:330K _aosemi

AON7200 AON7200

AON7232100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET Technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 37A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

9.7. aon7240.pdf Size:151K _aosemi

AON7200 AON7200

AON724040V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS40VThe AON7240 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 40Afrequency switching performance.Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

9.8. aon7220.pdf Size:388K _aosemi

AON7200 AON7200

AON722025V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS25VThe AON7220 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 50Afrequency switching performance.Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

9.9. aon7210.pdf Size:239K _aosemi

AON7200 AON7200

AON721030V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AON7210 uses trench MOSFET technology that is 30V50Auniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V)frequency switching performance.Power losses are

9.10. aon7254.pdf Size:270K _aosemi

AON7200 AON7200

AON7254150V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power AlphaMOS (MOS MV) technology 150V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

9.11. aon7246.pdf Size:272K _aosemi

AON7200 AON7200

AON724660V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS60VThe AON7246 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 34.5Aextremely low RDS(ON).This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)

9.12. aon7290.pdf Size:267K _aosemi

AON7200 AON7200

AON7290100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AON7290 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 50Afrequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

9.13. aon7242.pdf Size:276K _aosemi

AON7200 AON7200

AON724240V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS40VThe AON7242 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 50Afrequency switching performance.Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

9.14. aon7296.pdf Size:263K _aosemi

AON7200 AON7200

AON7296100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AON7296 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 12.5Afrequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

9.15. aon7230.pdf Size:332K _aosemi

AON7200 AON7200

AON7230100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 47A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

9.16. aon7246e.pdf Size:343K _aosemi

AON7200 AON7200

AON7246ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

Схема ноутбука samsung np300e5c

Ноутбук Samsung NP300E5C поступил в ремонт с проблемой «не включается». Реально проблема оказалась гораздо больше. Замкнул от частых перегибов шнур от блока питания, что привело к выходу его из строя, а подключение ноутбука к БП с повышенным напряжением привело к выходу чипов управления питания.

Модель ноутбука Samsung NP300E5C собрана на шасси Scala3-15/17, (хотя в моем случае ориентировался по схеме Scala3-14CRV). Вот схема NP300E5C от Samsung Confidential.

Ремонт

При проверке сразу обнаружились битые транзисторы по включению аппарата, на схеме ниже от Scala3-14CRV позиционируются как Q502 — AON7200, Q503 – AON7410.

Впаял именно эти транзисторы, хотя есть и аналоги к N7200 и N7410. Транзисторы установлены с большим запасом по току, так что можно подобрать поменьше. Прекрасно работают транзисторы с током стока 16 А.

Впаять паяльником не получилось, поэтому пришлось воспользоваться феном. Транзистор AON7410 припаялся немного криво, но переделывать не хотелось (лишний раз нагрев пользы не приносит).

Были опасения, что возможно будет неисправен контроллер заряда, но все обошлось. Ноутбук сразу, при включении, заработал как положено.

Ноутбук Samsung NP300E5C поступил в ремонт с проблемой «не включается». Реально проблема оказалась гораздо больше. Замкнул от частых перегибов шнур от блока питания, что привело к выходу его из строя, а подключение ноутбука к БП с повышенным напряжением привело к выходу чипов управления питания.

Модель ноутбука Samsung NP300E5C собрана на шасси Scala3-15/17, (хотя в моем случае ориентировался по схеме Scala3-14CRV). Вот схема NP300E5C от Samsung Confidential.

Ремонт

При проверке сразу обнаружились битые транзисторы по включению аппарата, на схеме ниже от Scala3-14CRV позиционируются как Q502 — AON7200, Q503 – AON7410.

Впаял именно эти транзисторы, хотя есть и аналоги к N7200 и N7410. Транзисторы установлены с большим запасом по току, так что можно подобрать поменьше. Прекрасно работают транзисторы с током стока 16 А.

Впаять паяльником не получилось, поэтому пришлось воспользоваться феном. Транзистор AON7410 припаялся немного криво, но переделывать не хотелось (лишний раз нагрев пользы не приносит).

Были опасения, что возможно будет неисправен контроллер заряда, но все обошлось. Ноутбук сразу, при включении, заработал как положено.

Здесь представлена подборка схем к ноутбукам Samsung. Все схемы представлены на английском языке. Для поиска модели введите её номер в основном поиске.

Данный материал предназначен исключительно для специалистов по ремонту компьютеров и ноутбуков в целях использования совместно со специальным оборудованием, использование данного материала в домашних условиях крайне не желательно.

Не стоит забывать, что некомпетентное вмешательтсво в неисправный компьютер либо ноутбук может окзать намного пагубное влияние чем сама неисправность.

Комментарии

Добрый день! Нужна принципиальная схема для ноута samsung np-r410-fb04, мат плата ba92-05203b

А если ещё найдутся полные хар-ки этой платы будет совсем хорошо!

Добрый день! Нужна принципиальная схема для ноута samsung np-r410-fb04, мат плата ba92-05203b

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.